Výzkum

Transportní vlastnosti polovodičů (CdTe/CdZnTe, SiC, GaAs, TlBr, perovskity)

• Charakterizační metody
  • Time-of-Flight Laser-Induced Transient current technique (L-TCT) - měření transportních vlastností detektorů
  • Teplotní závislost elektrické vodivosti a Hallova jevu v oboru teplot 4,2–1300K
  • Contactless resistivity (COREMA)

Optické vlastnosti polovodičů (CdTe/CdZnTe, SiC, GaAs, TlBr, perovskity)

• Charakterizační metody:
  • Pockels effect
  • Photoluminiscence 4,2–300K
  • Infrared absorption / transmission 4,2–300K
  • Photoconductivity 4,2–300K

Spektroskopie hlubokých hladin

• Charakterizační metody:
  • Photo-Hall effect spectroscopy (PHES)
  • Thermoelectric emission spectroscopy (TEES)

Spektroskopické vlastnosti detektorů

• Charakterizační metody:
  • Měření součinu pohyblivosti a doby života pomocí alfa částic a gama záření
  • Time-of-Flight Laser-Induced Transient current technique (L-TCT) - měření vnitřního elektrického pole v detektorech a součinu pohyblivosti a doby života

Růst polovodičových monokrystalů (II-VI - CdTe/CdZnTe, Perovskity)

• Metody růstu:
  • Vertical Gradient Freeze Method (VGFM)
  • Vertical Bridgman Method (VBM)
  • Horizontal Bridgman Method (HBM)
  • Horizontal Traveling Heater Method (H-THM)