Elektrické a optoelektrické vlastnosti materiálů
Na naší katedře je k dispozici celá řada přístrojů a zařízení pro studium elektrických a optoelektických vlastností materiálů.
- Stanovení resitivity pomocí metody van der Pauw rozsahu cca 10-4 až 109 Wcm (různé aparatury založené na zdrojích proudu, voltmetrech a skenerech firmy Keithley)
- Stanovení resistivity pomocí metody van der Pauw na neslisovatelných práškových materiálech v závislosti na tlaku (do hodnoty tlaku cca 12 MPa)
- Studium teplotní závislosti resitivity v rozsahu cca 5 až 320 K (kryostat s uzavřeným heliovým cyklem OmniPlex® GMX19 s expanderem Model DE-204SL DE-210SF a s heliovým kompresorem ARS-10HW, Advanced Research Systems, Inc.), kdy je vzorek v heliové atmosféře, což umožňuje lepší tepelnou výměnu
- Určování změn resistivity materiálů in-situ v teplotní komoře Binder (teplotní rozsah -40°C až +180 °C)
- Stanovení hustoty materiálů pomocí Archimedovy metody (za použití dekanu na vahách Mettler Toledo XS205 DualRange balance)
- Studium střídavých paramterů materiálů pomocí přesných LCR přístrojů HP4284A a HP4285A ve frekvenčním rozsahu 20 Hz až 5 MHz, případně pomocí přesného LCR přístroje Agilent pokrývajícího rozsah 20 Hz až 2 MHz
- Úzkopásmový zesilovač Stanford SR 138, který umožňuje studovat frekvenční závislost amplitudy elektrických oscilací proudu procházejícího vzorkem a tím i součin pohyblivosti a doby života nosičů náboje, t.j. parametr důležitý pro funkci detektorů záření a slunečních článků.
- Automatické proměřování impedančních spekter spektrometrem Agilent E 4980A v oboru 20 Hz – 2 MHz pro určení pohyblivosti majoritních nosičů proudu v organických polovodičích, kapacitních charakteristik pro zjištění šířky oblasti prostorového náboje a podobně.
- Automatizovaná aparatura pro fotoelektrickou charakterizaci polovodičů. Tato aparatura umožňuje určovat ze spekter fotonapětí difúzní délku excitonů, případně děr, nebo elektronů. Poskytuje údaje o oblasti prostorového náboje spontánně vzniklé při povrchu vzorku a podílu této oblasti na celkovém fotoproudu. Uvedené parametry jsou významné pro funkci detektorů záření a slunečních článků.
